Semiconductor implantación iónica

La implantación de iones, similar al proceso de recubrimiento, es un enfoque de alta tecnología para modificar las propiedades superficiales de los materiales. Pero no implica la adición de una capa en la superficie. La implantación de iones se desarrolló originalmente para aplicaciones de semiconductores, y se utiliza rayos de alta energía de iones (átomos cargados positivamente) para modificar la estructura de superficie y la química de los materiales a baja temperatura. Ciertamente, tal proceso no afecta adversamente dimensiones de los componentes o las propiedades del material a granel.

1. Con alta conductividad térmica, resistencia del material, resistencia a la corrosión y la pureza absoluta, nuestras aleaciones de tungsteno y aleaciones de molibdeno funcionan bien, lo que garantiza que los iones se generan de manera eficiente y libre de impurities.
2. En el equipo de implantación de iones, aleaciones de tungsteno y aleaciones de molibdeno se utilizan ampliamente para cámaras de arco, filamentos, cátodos y otras piezas de repuesto.